半導体界を震撼！Huaweiの5nm製造法

Huaweiは謎に包まれた半導体パートナーと共に、最先端の極端紫外線（EUV）露光装置を使わなくても先端半導体を製造できる技術の特許を申請したことが明らかになりました。この製造方法により、5ナノメートル（nm）の半導体が作れるようになる見通しです。

ASMLの技術なしで先端チップを製造可能に？

Huaweiの中国国家知識産権局への特許出願によれば、新たなチップ製造方法は自己整合型クオドルプルパターニング（SAQP）と呼ばれるもので、オランダのASMLが独占製造している最先端の極端紫外線（EUV）露光装置なしで5nmまでのチップが作れるようになるとのことです。

Huaweiは昨年のフラッグシップモデルMate 60 Proで欧米の技術に頼らずに7nmのチップ搭載することにこぎつけており、業界を震撼させましたが、今回の特許技術ではさらに小さい5nmまで達することが可能となります。

現在市場に出ている最も先端のチップはAppleが半導体を生産委託する台湾TSMCなどが製造する3nmのチップですが、Huaweiが製造可能になる見通しの5nmのチップはそのわずか一歩手前まで迫ることになります。

調査会社TechInsightsのバイスプレジデントのダン・ハッチソン氏によると、それでもEUV露光装置なしで克服できる技術的問題は限定されており、やがてはEUVが必要になるとのことです。

しかしながら、ASMLは対中輸出規制を行っているため、中国は容易に最先端のEUV装置を使用することはできないと推測されます。

今後、中国のチップ製造技術がどのように発展していくのか、大きな注目が集まっています。

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